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FH413A05 MEMS三轴加速度传感器说明书
一、简介
FH413A05 三轴加速度传感器由我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有 BIMOS 信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有低功耗、高可靠性和高封装坚固性，并具自检测（Self-Test）等功能，可实现自检测。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、 倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
二、原理
FH413A05三轴加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面 MEMS 多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克 服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块 相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结 构的偏转，从而产生电压输出信号。
三、技术条件
性能 | FH413A性能 | |||||
Ax ，Ay ，Az | ||||||
测量范围（ g） | ±2 | ±4 | ±5 | ± 10 | ±20 | ±40 |
灵敏度（mV/g） | 1000±50 | 500±50 | 400±30 | 200±20 | 100±10 | 50±5 |
带宽（10%，Hz） | 0～500 | |||||
零 g 偏置电压（V） | 2.5±0.05 | |||||
满量程输出（V） | 0.5-4.5 | |||||
零偏温度变化（mg/ °C） | ±0.2~ ±0.8 | |||||
交叉轴影响（%） | ≤2 | |||||
非线性度(％F.S) | ≤0.1 | |||||
噪声密度（ug/ √Hz） | 20~80 | |||||
供电要求 | ||||||
供电电压(VDC) | 12±0.5 | |||||
输入电流（mA） | ≤20 | |||||
工作环境 | ||||||
使用温度（。C） | -45～+85 |
抗冲击（ g） | 5000 |
重量、体积 | |
重量(g) | ≤20 |
体积（mm³ ) | 21.6×21.6×12.4 |
四、接线端子定义
引线号 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
颜色 | 红 | 黑 | 蓝 | 黄 | 白 | 屏蔽 |
定义 | 12v | GND | Ax | Ay | Az | 壳体地 |
