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硅纳米线（NW）因其潜在的应用，如垂直集成的NW场效应晶体管，生物化学传感器，光伏，热电器件，锂电池阳极等而受到重视。Si NW可以使用化学气相沉积，激光烧蚀，热蒸发和溶液法来制造。对于某些应用，Si NW优选在不同于Si的衬底上形成。例如，成本和灵活性可能与太阳能电池有关，因此金属膜，玻璃或塑料是优选的。生物相容性，重量轻和透明度是生物化学传感的重要因素，所以玻璃或塑料比硅好。已经使用诸如化学气相沉积的方法实现了异质衬底上的Si NW的形成。Si NWs已经生长在不锈钢薄膜上，但生长和工艺温度高于650 oC，不适用于塑料或玻璃基材。已经提出并证明了用于热电和光伏应用的Si衬底上的Si NWs向异质衬底的转移。甚至已经实现了数百个预先对齐的硅纳米线到塑料上。然而，那些被转移的Si NWs是水平排列的，限制了NW密度。另外，他们使用昂贵的硅绝缘体（SOI）晶圆。因此，虽然这些器件是用廉价的塑料制造的，但成本实际上很高。在这里，我们展示了从通常的Si晶片制造的数百万个Si NWs到大约3-5×107 Si NWs / mm2密度的玻璃上的巨大转移。转移的Si NW具有几乎相同的取向，并在玻璃基板上垂直排列。X射线衍射研究显示转移的NWs显示出与体Si几乎相同的晶体性质。他们的特点被调查。传输的Si NWs的吸收特性在400-1100nm的光谱范围内被明显改变。在近红外（IR）范围内发现超过30倍的吸收系数增强。
图1大量转移垂直排列的Si NWs的图示。
（a）旋涂高分子薄膜的接收基板被加热。
（b）Si NW被压在玻璃基板上。
（c）整个装置冷却下来，直到温度降到低于聚合物的玻璃化转变温度。
（d）去除原始的Si衬底。
图2在大约55kg / cm2的压力下在玻璃基板上转移的Si NW的SEM图像。
（a） - （c）转移Si NW的顶视SEM图像。
（d） - （f）在玻璃衬底上转移的Si NWs的侧视SEM图像。
传输的Si NWs的长度分别为5.07μm，6.98μm和10.84μm。
图3 X射线衍射光谱。在69°观察到对应于硅（100）的尖锐峰，
表明转移的硅土NWs展现出总体（100）的优先取向。以约22°为中心的宽无特征峰归属于接收器基底的无定形二氧化硅。
图4转移Si NWs的估计吸收系数。
在1100nm波长处的吸收系数约为3×103cm-1，在650nm处最大吸收系数增加到5.5×103cm-1。
